N沟道 600V 1.2A场效应管(MOSFET)
· 型号: 1N60L-T92-K
· 品牌: UTC(友顺)
· 封装: TO-92-3
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描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏较电流(Id):1.2A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5Ω@10V,600mA N沟道,600V,1.2A,11.5Ω@10V
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1N60 N沟道功率 MOSFET
1N60 数据表
1.2A、600V N 沟道功率 MOSFET
描述
UTC 1N60 是一款高压 MOSFET,旨在
具有更好的特性,如快速切换时间,低门
充电,低导通电阻,并具有高坚固性
雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于
电源、PWM 电机中的高速开关应用
控制,的直流到直流转换器和桥式电路。
特征
* VDS = 600V
* 内径 = 1.2A
* RDS(ON) =11.5Ω@VGS = 10V。
* **低栅较电荷(典型值 5.0nC)
* 低反向传输电容(CRSS = 典型值 3.0 pF)
* 快速切换能力
* *的雪崩能量
* 改进的 dv/dt 能力,高耐用性